imec宣布 High NA EUV 光刻技术重大突破!
比利时微电子研究中心(imec)日前发布重大消息,宣布其在高数值孔径极紫外曝光(High NA EUV)单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑,代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力,同时也强调了Imec在曝光微影技术研发
比利时微电子研究中心(imec)日前发布重大消息,宣布其在高数值孔径极紫外曝光(High NA EUV)单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑,代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力,同时也强调了Imec在曝光微影技术研发
比利时微电子研究中心(imec)日前发布重大消息,宣布其在高数值孔径极紫外曝光(High NA EUV)单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑,代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力,同时也强调了Imec在曝光微影技术研发
俄罗斯科学院微观结构物理研究所近日发布了一项雄心勃勃的极紫外光刻技术发展规划,计划到2037年实现从40纳米到亚10纳米制程的完整技术覆盖。这一战略性布局不仅试图打破荷兰ASML公司在EUV光刻设备领域的绝对垄断,更采用了截然不同的技术路径,力图在全球半导体制
台积电作为全球最大的先进制程晶圆代工厂,不仅拥有着全球最先进的制程工艺,也拥有着数量最多的ASML EUV光刻机。自2019年以来,台积电通过自身的系统级优化及自研EUV光罩保护膜(Pellicle,保护光罩的薄膜)材料,EUV生产晶圆产量累计增加30倍,同时